光学带隙(optical band gap)非晶态半导体的本征吸收边附近的吸收曲线通常分为三个区域。

正文

光学带隙(opticalbandgap)非晶态半导体的本征吸收边附近的吸收曲线通常分为三个区域:价带扩展态到导带扩展态的吸收为幂指数区;价带扩展态到导带尾的吸收为指数区;价带尾到导带尾的吸收为弱吸收区。非晶半导体的带隙没有明确的定义。定义其光学带隙的简单方法是E03或E04,即吸收系数为103cm-1或104cm-1时所对应的光子能量。物理意义较明确的定义方法是Tauc带隙,主要考虑幂指数区的带-带吸数,此时α(hv)∝c(hv-Eg)γ,C和γ与能带结构有关,对于抛物线形能带结构γ取2,由(αhv)1/2~hv关系曲线求得的Eg称为Tauc带隙。