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漏极电压控制型半导体器件是一种以电压为控制手段的半导体器件，能够实现对器件漏极电流的控制。这种器件在电子学领域广泛应用，尤其是场效应晶体管（FET）的应用非常广泛。 漏极电压控制型半导体器件的漏极、栅极、源极和漏极等四个极分别是器件内部结构中的重要组成部分，它们在器件的工作过程中起到至关重要的作用。其中，漏极是连接器件负载的电极，通常也是器件的主要输出电极；栅极是控制器件导通的电极，通过施加电压控制器件的导通和截止；源极是连接器件电源的电极，通常也是输入电源的入口；漏极则是连接器件负载的电极，通常也是输出电流的出口。 场效应晶体管（FET）是一种电压控制型半导体器件，它具有高输入阻抗、高开关速度、低功耗、高热稳定性、高可靠性等优点，被广泛应用于各种电子设备中，如计算机、通讯、航空航天、工业控制等领域。 总之，漏极电压控制型半导体器件是一种重要的电子器件，它的应用范围广泛，在各种电子设备中都有着重要的应用。| 外文名 | drain |
| 夹着一层 | 低掺杂的N区（N区一般做得很薄） |
| 易于集成 | 没有二次击穿现象 |
| 晶体管 | 是由两种极性的 载流子 |
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这家伙太懒了，什么都没写！
