江崎玲于奈（Reona Esaki），1925年3月12日出生于日本大阪，毕业于东京大学。后进入川西机械制作所工作，进行由真空管的阴极放出热电子的研究工作。1956年，转入东京通信工业株式会社（现索尼）。1973年，时任美国IBM沃森研究所研究员的江崎玲于奈，因在半导体中发现电子的量子穿隧效应获得诺贝尔物理学奖。

中文名

江崎玲于奈

外文名

Leo Esaki

别名

江崎玲於奈

出生日期

1925-03-12

籍贯

大阪

民族

大和人

国籍

日本

出生地

大阪

毕业院校

京都第三高等学校，东京帝国大学

职业

学者

代表作品

约瑟夫森效应

主要成就

在半导体中发现电子的量子穿隧效应获得诺贝尔物理学奖

研究领域

电子

基本信息

江崎玲于奈

江崎玲于奈1925年3月12日出生于日本大阪，1940年就读于京都第三高等学校，1944年进入东京帝国大学，是日本近代著名固体物理学家。江崎玲于奈是建筑学家江崎壮一郎的长子。20世纪50年代，根据理论分析，人们认为在PN结反向击穿的过程中应当能够观测到隧道效应，但实验上一直未能发现。1957年，江崎玲于奈在研制新型高频晶体管时，意外地发现了高掺杂、窄PN结的正向伏安特性中存在着异常的负阻现象。通过理论分析，他认为这种负阻特性是由于电子空穴直接穿透结区而形成的，从而为隧道效应提供了有力的证据。在随后的研究中，他发明了由隧道结制成的隧道二级管。隧道二极管的发明，开辟了一个新的研究领域——固体中的隧道效应。

江崎玲于奈

研究历程

1944年，江崎进入日本东京帝国大学专攻实验物理，1947年获得硕士学位（后来于1959由于研究隧道效应获得博士学位），随即服务于神户工业股份有限公司，开始了作为晶体管材料的锗和硅等半导体的研究，1956年成为东京通信工业股份有限公司（现在的索尼）的主任研究员，领高掺杂锗与硅的研究，这一研究的结果导致了隧道二极管的发明。

江崎玲于奈

所谓“隧道现象”是指电子偶然地穿过其运动方向上的从经典理论观点看来是不可越的能量势垒（不太大）时，会在势垒的另一边发现电子运动的一种波动性的奇怪现象，这在本纪二十年代就已经发现了。到了三十年代量子力学发展的初期，人们一直试图用隧道效应来分整流现象及接触电阻等问题，然而理论的预见和实验观测结果却屡次出现矛盾。五十年代随着半导体PN结的出现，又一次唤起人们重视隧道过程的研究。根据理论分析，在PN结反击穿的过程中，应当能够观测到隧道效应。但实验却一直无法证实。1957年，江崎在研制型高频晶体管时；意外地发现高掺杂窄PN结的正向伏安特性中，存在着“异常的”负阻现象，而且只要一增加含有大量杂质的锗为原料的二极管的电压时，就马上可以看到，电流着电压的升高而减小。他通过分析认为，这种负阻特性是由于电子空穴直接穿透结区而形成，而为隧道效应提供了有力的实验证明。他还发现，把具有这种性的半导体（具有负电阻的二管）作为新的电子元件，可以应用于开关电路和振荡电路，以及高速电路（如电子计算机等装置），这在当时是轰动世界的发明。

1958年，溪江崎发表了关于“隧道二极管”的论文，这是他获得诺贝尔物理学奖金的开端。后来人们以他的名字把“隧道二极管”命名为“江崎二极管”。第二年，他又发表了有关管的发明及其机理方面的文章，因而获得了作为日本物学会最高荣誉的

仁科芳雄纪念奖

。接着，1960年又获得出版社的奖励，1961年获得

M．N．利布曼纪念奖金

及富兰克林研究所授予的

巴兰坦奖章

。I965年日本科学院也给予他奖励。由于在半导体和超导体方面的“隧道效应”的贡献．江崎分享了1973年度

诺贝尔物理学奖金

。1974年日本政府授予

文化勋章

。

江崎博士于1975年被选为日本科学院院士，1976年被选美国国立科学院院士，1977年又成为美国国立工程科学院院士。

获得荣誉

诺贝尔物理学奖

1973年江崎玲于奈和加埃沃（Ivar Giaever, 1929-）因分别发现半导体和超导体中的隧道贯穿、约瑟夫森（Brian David Josephson, 1940-）因从理论上预言了通过隧道阻挡层的超电流的性质，特别是被称为“约瑟夫森效应”的实验现象，共同分享了1973年度诺贝尔物理学奖。江崎成为日本科学领域的第三位诺贝尔奖得主。[1]

第14届日本国际奖

1998年，江崎获得第14届日本国际奖。获奖理由是：“通过创造和实现人工超晶格晶体概念，为新的功能性材料的发展做出贡献”。获得该奖项的人很多都成为诺贝尔奖的有力候选人，江崎目前仍被认为可能成为诺贝尔奖二次获奖得主。[1]