正文

磷化稼单晶gallium phUSphide single1 crystal UaY周期表第m。V族兀素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。密度4.1297g}cm31467r'。为间接带隙半}f体室温禁带宽度为? . 26cV ,本征载流子浓度z.7‘10}}c矿。少数载流子寿命In 3一10’4,。。采用区熔或直拉法制备单晶。为可见光发光材料。