低频变压器用来传播信号电压和信号功率,还可实现电路之间的阻抗匹配,对直流电具有隔离作用。高频变压器与低频变压器原理上没区别。但由于高频和低频的频率不同,变压器所用的铁芯不同。低频变压器一般用高导磁率的硅钢片,高频变压器则用高频铁氧体磁芯。

中文名

低频变压器

外文名

low-frequency transformer

电子产品类别

级间耦合变压器

用途

实现电路之间的阻抗匹配

外观

均于电源变压器相似

使用铁芯

硅钢片

分类

级间耦合变压器

产品分类

它分为级间耦合变压器、输入变压器和输出变压器,外形均于电源变压器相似。

1.极间耦合变压器:级间耦合变压器用在两级音频放大电路之间,作为耦合元件,将前级放大电路的输出信号传送至后一级,并作适当的阻抗变换。

2.输入变压器:在早期的半导体收音机中,音频推动级和功率放大级之间使用的变压器为输入变压器,起信号耦合、传输作用,也称为推动变压器。

输入变压器有单端输入式和推挽输入式。若推动电路为单端电路,则输入变压器也为单端输入式变压器;若推动电路为推挽电路,则输入变压器也为推挽输入式变压器。

3.输出变压器:输出变压器接功率放大器的输出电路与扬声器之间,主要起信号传输和阻抗匹配的作用。输出变压器也分为单端输出变压器和推挽输出变压器两种。

工作原理

舌口32 mm、厚34 mm、宽96 mm,最大功率使用要多粗的线,舌口是指,EI型变压器铁芯截面积是指E片中间那一横(插入Satons变压器骨架中间方口里的)的宽度即铁芯舌宽与插入变压器骨架方口里所有E片的总厚度即叠厚的乘积最简单的就是指变压器骨架中间方口的面积,变压器铁芯截面积是指线圈所套着的部分:舌宽×叠厚=截面积,单位:

第一种计算方法

(1)变压器矽钢片截面:

(2)根据矽钢片截面计算变压器功率:

瓦(取60瓦)

(3)根据截面计算线圈每伏几匝:

匝/伏

(4)初级线圈匝数:

(5)初级线圈电流:

(6)初级线圈线径:

)

(7)次级线圈匝数:

(匝)(1.03是降压系素,双级

匝)

(8)次级线圈电流:

(9)次级线径:

第二种计算方法

E形铁芯以中间舌为计算舌宽的。计算公式:输出功率:

考虑到变压器的损耗,初级功率:

(其中

,一般功率大的取大值)

每伏匝数计算公式:N(每伏匝数)

硅钢片导磁率,一般在

高斯,好的硅钢片选大值,反之取小值。S=铁芯舌的面积,单位是

)如硅钢片质量一般可选取10000高斯,那么可简化为:

计算次级绕组圈数时,考虑变压器漏感和导线铜损,须增加5%绕组余量。初级不用加余量。

由电流求线径:

以线径每平方毫米

选取。

第三种计算方法

首先要说明的是变压器的截面积是线圈所套住位置的截面积。如果你的铁心面积(线圈所套住位置)为

小型变压器的简易计算:

1,求每伏匝数

每伏匝数=55/铁心截面

例如,你的铁心截面

平方厘米

故,每伏匝数

2,求线圈匝数

初级线圈

次级线圈

,可取为82匝

次级线圈匝数计算中的1.05是考虑有负荷时的压降

3,求导线直径

你未说明你要求输出多少伏的电流是多少安?这里我假定为8V,电流为2安。

变压器的输出容量

伏安

变压器的输入容量=变压器的输出容量

伏安

初级线圈电流

导线直径

初级线圈导线直径

毫米

次级线圈导线直径

毫米

要注意层间电压绝缘,引出端绝缘问题。

常见问题

DCR的问题

A. DCR过高:因硅钢片变压器几乎线径很细,圈数很多,漆包线的选择成为最重要的部分。而大部分美国客户喜欢用AWG线来设计及订立DCR规格及结构。因某些原因,我们不得不用mm线近似值去代替,台湾漆包线裸径值大一点点,漆膜也较厚一点点,所以几千圈下来往往DCR会超高,且线包发胖。另一点是线包发胖的问题,整齐密绕与杂乱疏绕,用线长度不同其DCR也会不同,整齐密绕会低一点。

B. 两组DCR值差异的问题:有些规格要求并绕(或分开UI CORE双胞胎)二者间DCR相差多少以内或是SPEC 要求双胞胎次级输出空载时,二者电压不可超过

,在此情形下,应该用同 一台绕线机同一轴线绕出来的两个产品组装,才能得到好的成功率。

激磁电流问题

一般电源变压器,激磁电流规格不会很严,所指的是二次侧不加负载时的一次电流。如果激磁电流超出可能原因为:

a. 圈数太少, 或线径太大

b. 硅钢片没组装好

c. 硅钢片材质不够好

d. 硅钢片太厚

e. 仪表误差

f. 输入条件是否正确 如果激磁电流超出很多则应检查线圈是否短路。

损失太高

我们在测试板上瓦特表读数超出规格(是铜损和铁损)因绕线已完成,习惯上从铁损去改善:

a. 硅钢片未装好(毛边不统一,未装紧)

b. 提高铁芯材质

c. 选择薄的硅钢片。

电压调整率

太大

:空载输出电压;

:负载输出电压 牵涉到设计时的铜损﹑铁损﹑圈数。

温升

可用电阻法去计算

HI-POT及IR (绝缘电阻) HI-POT测试是变压器必须100%全测的要求,许多客户还要求每批出货要附HI-POT全测的声明书。

造成HI-POT不良的原因:

a. 两绕组之间引出线接触或太近

b. PIN间锡桥短路

c. 绝缘胶布未完全覆盖或层数太少

d. 绕组与CORE间距离不足

e. 组装时CORE擦破BOBBIN或CASE,当SPEC上截断电流3mA是不要用2mA或1mA去测试HI-POT,2mA比3mA更严格。

含浸

原则上硅钢片的变压器不用抽真空含浸。过大的真空压力会使凡立水渗透到CORE之间,造成间隙,降低功率。

材料来源

BOBBIN

这里我们主要针对绕线架的材质来讲,低频变压器的线架一般使用的原料是塑料,但塑料也分很多种:常用的有Nylon,PBT,PET等。

a. Nylon尼龙了的韧性强,但易变形,在生产过程中可任加玻璃纤维(Glass Filled)以增加其强度。如: Dupot Zytel FR-50,FR-15,70G33L,南亚 6210G6,6410G5。

b. PET 环保效果较好,材质相对较脆,等级高。如: Dupot Rynite FR-530L,新光 T102G30,南亚 4410G。

c. PBT 介于上两种材质之间。如: 长春PBT-4115,PBT-4130(含玻璃纤维30%),新光 T102G30。注: UL新规定PBT含玻纤不可超过20%。

绕线架对电器特性的影响:

a. 耐压: 厚度,材质,PIN距及与CORE间的距离

b. 电阻: 中径大小,幅宽大小。

CORE

a. 型号 一般分公制及英制,公制一般是以mm为单位,而英制则是以inch为单位。如公制的EI-48 T=0.5 是指CORE的宽度为48mm,厚度为0.5mm,但是英制的表示则为 EI.675 26GA。

b. 规格 1. 取向型:美国 M-4、M-5、M-6,英国 28M4、30M5、30M6,日本 27Z130(Z9)、30Z140(Z10)、35Z155(Z11),中国 Q09(0.27)、Q09(0.3)、Q10(0.35);

无取向型:美国 M-15、M-19、M-22、M-36,英国 G250、G265、G315、G335,日本 H9、H10、H12、H14,中国 W09、W10、W12、W14。

除以上两种规格的区分外,还有A品(炖烧)和N品(不炖烧) 的区分,也有称黑片和白片的。

c. 厚度取向型0.23、0.27、0.30、0.35,无取向型 0.35(0.36 29GA)、0.5(0.47 26GA),硅钢片又称为电工钢板是电力和电子工业中用途最广﹑用量最大的一种软磁材料。它具有高的磁感应值(BS=2T左右),低的铁损,不含贵重元素,价格低,性能档次多。

WIRE

一般选D.D.(UEW)漆包线Class B 和 S.S.(PEW)漆包线 Class B、Class F。

效能测试

研究背景

对低频变压器加装适当的屏蔽能够有效地抑制干扰,提高系统的电磁兼容性。屏蔽效能是衡量屏蔽性能的重要指标。根据屏蔽效能计算公式,通常选用磁场测试仪对屏蔽前、后磁场强度或电场强度进行测试。而直接选购磁场测试仪受性能价格比的严重制约,因此,针对变压器工作性质、特点,自行组建了低频变压器屏蔽效能测试系统。采用间接法对三种屏蔽方式下50 VA工频E型变压器屏蔽效能进行了实际测试。结果表明: 该屏蔽效能测试系统性能价格比高,测试结果精确、可靠,满足了电磁兼容性要求,为选择合适的屏蔽形式与抗干扰措施提供了决策依据。

测试原理

该系统由自制测试架(包括探头、转台)、连接用同轴电缆和晶体管毫伏表组成。采用间接测量法测试屏蔽效能。基本原理是:将自制探头传感器(测试线圈)放入磁场空间预定点,使磁力线垂直穿过探头中测试线圈,感应信号由同轴电缆传输,感应电势有效值由晶体管毫伏表测得,根据麦克斯韦方程、磁感应强度与磁场强度关系、磁通与磁感应强度关系导出感应电势表达式。

在正弦磁场中屏蔽效能可用屏蔽前、后空间某点感应电势

之比来度量。屏蔽效能常用分贝 (db)计算式表示为

研究结论

双层屏蔽的屏蔽效能优于单层屏蔽的屏蔽效能,单层屏蔽的屏蔽效能优于短路环的屏蔽效能。双层屏蔽的屏蔽效能并非单层屏蔽的屏蔽效能简单叠加,而是在首次对被测变压器漏磁场提供低磁阻通路的基础上,再次对透过首层屏蔽的漏磁提供了低磁阻通路即第二层屏蔽,故与单层屏蔽相比,双层屏蔽外的漏磁场已大大减小。短路环屏蔽是利用漏磁场在良导体短路环内产生涡流,涡流又产生与漏磁场反向的磁场来抵消其作用,这种结构的屏蔽效能将随漏磁场频率升高、感生涡流增大而增强,在低频时涡流的屏蔽作用不明显。这一结果与电磁理论完全相符。