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快速热退火 (RTA)技术指的是将晶片从环境温度快速加热至约1000–1500K，晶片达到该温度后会保持几秒钟，然后完成淬火。这种技术主要被应用于薄膜晶体管、太阳电池等器件生产过程中的掺杂、点缺陷退火、杂质激活等高温( >700 ℃)过程。在低温器件，如玻璃衬底的多晶硅薄膜太阳电池应用中也具有很大的潜力。

固相晶化非晶硅 (a- S i)薄膜法是一种最常见的间接制备多晶硅薄膜方法。这种技术的优点是能实现薄膜大面积化，且工艺简单。但传统的电热炉退火进行固相晶化时，晶化时间长达几个至几十个小时，耗能及制造成本高。而采用 RTA，在较高温度下几分钟内就可使非晶硅晶化，而且晶化后的多晶硅膜缺陷较少、内应力小。