锑化铟是制作波长为3～5μｍ的红外探测器的重要材料，用于制光伏型或光导型单元、多元及焦平面红外探测器以及磁敏器件。

中文名

锑化铟

外文名

Indium antimonide

英文别名

Indium antimonide blackxtl、antimony、indium(+3) cation、stibanylidyneindium

安全性

S61

危险品标志

Xn,N

密度

5.76g/cm³

EINECS号

215-192-3

CAS编号

1312-41-0

熔点

525℃

分子式

InSb

相对分子质量

236.578

用途

重要半导体材料之一，经熔炼提纯的单晶可制成具有特殊性能的红外探测器件等

制备方法

锑和铟的化合物，金属锑和铟在高温熔合而得，具闪锌矿型结构的晶体。

衍生物

锑化铟单晶(indium antimoningle crystal InSb)

共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV，本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。