蔡勇，1993年于东南大学电子工程系毕业，获得半导体物理与器件专业学士学位。同年加入南京电子器件研究所五中心，从事硅双极型微波功率晶体管研究工作。1998年考入北京大学微电子所硕士研究生，2000年转为博士研究生，于2003年获得微电子学与固体电子学专业博士学位。

中文名

蔡勇

性别

男

民族

汉

国籍

中国

毕业院校

香港科技大学

职业

中国科学院研究员

专业

固态高频器件与电路

主要成就

率先发现了氟离子对AIGaN/GaN异质结二维电子气的调制现象。

人物经历

2003年至2006年在香港科技大学电子电机系做博士后，致力于III族氮化物器件与集成电路研究。2006年至2008年在香港应用科技研究院有限公司LED器件组任研发经理，带领研究小组进行大功率、高亮度GaN LED器件的研究与开发。2008年12月加入苏州纳米技术与纳米仿生研究所，现为项目研究员，硕士生导师。

研究方向

1、半导体光电器件；2、固态高频器件与电路。

科研成果

率先发现了氟离子对AlGaN/GaN异质结二维电子气的调制现象，并提出了物理解释；基于这一新发现，成功地研制出高性能增强型AlGaN/GaN HEMTs。开发出GaN基单片集成新技术，研制出可在375 ℃ 高温下正常工作的GaN基DCFL电路。发明了利用化学机械研磨(CMP)实现垂直结构大功率GaN LED的新技术。在国内外专业期刊及会议发表学术论文三十余篇，申请美国专利六项，其中两项处于公告期，申请中国专利两项。