谢国锋，男，汉族，1975年7月出生，湖南湘潭人，博士学位，教授，硕士生导师。1994年考入清华大学工程物理系，1998年7月获学士学位，并被保送清华大学工程物理系硕博连读，2004年7月获得清华大学核科学与技术专业博士学位。2004年7月至2006年5月，于清华大学核能研究院做博士后。2006年6月至今，在湘潭大学材料与光电物理学院任教，2013年晋升教授，从事计算物理方面的教学与科研工作。研究兴趣广泛，在SCI和EI期刊上发表论文30余篇。

性别

男

出生日期

1975年7月

籍贯

湖南湘潭

毕业院校

清华大学

职业

教师

民族

汉族

职称

教授

学历

博士

基本介绍

主讲课程

《大学物理》

《分析力学》

《量子力学基础》

《计算物理》

研究方向

多元氧化物势函数拟合

铁电薄膜生长机制模拟载能离子辐射对铁电材料结构和性能的影响等离子体及稀薄气体输运的计算机模拟可靠性分析分子动力学和蒙特卡罗方法在计算材料学中的应用

科研项目

《对无铅铁电薄膜在Van Allen 带辐射作用下的失效机制的研究》，国家自然科学基金（10702059），2007～2010，第一参与者

《铋层状钙钛矿结构铁电薄膜生长过程的多尺度模拟》，湖南省自然科学基金（07JJ4011），2007－2009，项目主持者《计算机模拟质子对铁电薄膜的辐照损伤》，低维材料及其应用技术教育部重点实验室开放课题（KF0712），2008－2009，项目主持者

主持项目

铁电薄膜辐射效应的多尺度模拟研究，国家自然科学基金面上项目，编号11275163，2013.1-2016.12,经费80万元；

中子对铁电薄膜辐射效应的多尺度模拟，湖南省教育厅一般项目，编号12C0387，2012.4-2014.4，经费1万元；

铋层状钙钛矿结构铁电薄膜生长过程的多尺度模拟，湖南省自然科学基金青年项目，编号07JJ4011，2007.12-2009.12，经费2万元，已结题；

计算机模拟质子对铁电薄膜的辐照损伤，低维材料及其应用技术教育部重点实验室开放课题，编号KF0712，2008.1-2009.12，经费1万元，已结题。

参与项目

铁电栅场效应晶体管存储器的单粒子效应研究，国家自然科学基金面上项目，编号 61274017，2013.1-2016.12，经费90万元, 排名第二；

金属纳米团簇在石墨烯莫尔模板表面成核与生长机理研究，国家自然科学基金面上项目，编号 11274262，2013.1-2016.12，经费78万元, 排名第三；

无铅铁电薄膜在Van Allen带辐射下的失效机制，国家自然科学基金青年项目，编号 10702059，2008.1-2010.12，经费24万元，排名第二，已结题。

主要论文

谢国锋，童节娟，何旭洪，郑艳华.

用

Monte Carlo方法计算HTR-10余热排出系统物理过程的失效概率. 核动力工程，2008,2: 85

谢国锋. 利用溅射原子角分布规律改进平行板静电场法. 物理学报，57（03）：1784

谢国锋，何旭洪，童节娟，郑艳华. 相应面方法计算HTR-10余热排出系统物理过程的失效概率. 物理学报, 56（6）：3192

谢国锋，陈难先. 分子动力学模拟Gd原子在Cu低密勒表面的扩散过程. 真空科学与技术学报, 2006,26(6): 451

谢国锋，王德武，应纯同. 改进的DLA方法模拟薄膜二维生长. 物理学报, 2005, 54(5): 2212

谢国锋，王德武，应纯同. 考虑溅射损失的RF共振法离子引出和收集. 物理学报, 2005, 54(5): 2147

谢国锋，王德武，应纯同. 计及溅射损失的平行板静电场法离子引出和收集. 物理学报, 2005, 54(4): 1543

谢国锋，王德武，应纯同. 分子动力学模拟Gd原子在Cu(110)表面的扩散过程. 物理学报, 2003, 52(9): 2254

谢国锋，王德武，应纯同. 电子枪功率与束宽对金属原子蒸气特性的影响. 物理学报, 2002, 51(3): 584

谢国锋，王德武，应纯同. 电子束激发原子对金属蒸发的影响. 物理学报, 2002, 51(10): 2286