正文

生长时可以保持恒温,用控制蒸发量来控制溶液的过饱和度,得到的晶体成分均匀,生长过程稳定,利于掺杂晶体生长。但是排出腐蚀溶剂,蒸发速率难控制,出现局部高过饱和度使晶体交叉生长。已用于制备倍频晶体1.iTi()2和压电晶体Li,SH2。