砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。
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砷化铟
制造霍耳器件等的半导体材料
外文名
indium arsenide
化学式
InAs
密度
5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)
分子量
189.7396
物理结构
常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。InAs相图如图所示。
InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法，单晶直径达φ50mm。
InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In．As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm，室温电子迁移率3.3×10^3cm/(V·s)，空穴迁移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的有效分凝系数接近1，故用作n型掺杂剂，以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。
功能用途
InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。
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