王霆（中国科学院物理研究所副研究员）

主要研究方向：

主要研究领域为硅基光电纳米材料的生长制备、光电现象和器件，比如，硅基光pump激光器，电pump激光器，MicroCavity Laser ,Disk Laser以及相关无源器件等。^[1]

主要学术贡献：

1. 实现了世界首例高性能锗基以及硅基低阈值电流密度1.3微米InAs/GaAs量子点激光器的室温连续激射，

2. 解决了多年硅基光电子集成无相应光源的重大科学问题。^[1][2][3]

教育经历：

2008/10-2012/05, 伦敦学院大学（University College London）, 博士PhD，导师：Prof. Alwyn Seeds

2007/09-2008/09，谢菲尔德大学（University of Sheffield）, 硕士 Msc, 导师：Prof. Maurice Skolnick

2004/10-2007/06, 南安普顿大学（University of Southampton）, 学士 BEng, 导师：Prof. Greg Parker^[1]

研究经历：

2014/09-现在，中国科学院物理研究所，副研究员^[4]

2012/10-2014/08，新加坡麻省理工国际设计中心（MIT International Design Center）, 博士后,

合作导师：Prof. Dawn Tan^[5]

目前所在课题组的研究课题及培养情况:

目前王霆副研究员和张建军研究员为同一个课题组（N09组），^[1]目前组内主要研究方向和展望为：

(1)硅基半导体量子芯片材料，包括可控生长低维锗纳米结构和硅锗异质结构等；

(2)硅基光电子材料的生长和器件，包括全IV族高效发光材料的生长探索及IV族硅锗和III-V族材料界面可控的混合生长和光电子器件研究；

(3)低维量子材料如Ge/Si, InAs/GaAs量子线的可控生长及界面调控的异质结构生长与物性研究。基础研究上期待在常规半导体中发现新的物理现象，应用研究上期待实现硅基高效激光光源和相应器件集成。^[1]

培养情况为：

现有学生10名左右，课题组氛围民主和谐融洽，以学生为本的原则培养学生。每年招收硕博生或博士生2-3名，常年招收动手能力强，踏实肯干，有相关背景（物理，材料，电子工程）的硕士博士生和博士后。^[1]