HMOS描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。

名称解释

HMOS

英文全称为：High performance Metal-Oxide-Semiconductor

汉语意思为：高性能金属氧化物半导体

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。从结构上说，MOS管可以分为增强型(E型)和耗尽型（D型），它们的区别在于当Vgs为0时，增强型（E型）不存在导电沟道，耗尽型（D型）存在导电沟道，原因是E型的导通电压（阈值电压）Vth>0，D型的Vth<0。MOS管形成的电路通称为MOS电路，但又有不同，PMOS逻辑电路称为PMOS电路，NMOS逻辑电路称为NMOS电路，PMOS和NMOS共同组成的逻辑电路称为CMOS集成电路，MOS和BJT组成的电路称为Bi-CMOS集成电路。由于MOS管静态功耗几乎为0，所有的功耗都集中在开关转换的过程中，因此相对BJT而言，MOS管的功耗更低。因此，在现代工业设计中，MOS管主要用于数字逻辑电路中实现开关逻辑（0、1逻辑）。

结构

MOS结构：MOS管一般有3个电极，S（源source)极，D（漏drain)极，G（栅gate)极，从器件结构观点来说，S极和D极并无区别，在NMOS管中，当两者其中一端接GND时，就起到了S的作用，另外一端就成了D；而在PMOS管中，当两者其中一端接VCC时，就起到了S的作用，另外一端就成了D。MOS管的S端总是比D端先开启。对NMOS来说，当Vgs>Vds,Vgs-VthVds时，S和D都开启，MOS管工作在线性区。当Vgs

在MOS三明治型结构上外加电压：在MOS三明治结构上，金属电极相对于P型半导体的情况下，外加正电压，对N型半导体外加负电压，就会形成与PN结合面相同的现象，也就是最初在氧化膜下会产生耗尽层（depletion layer）

反转层

反转层（reversion layer）：针对氧化膜下为P型半导体的情况，如果再提高电压，就会累积电子，若是N型半导体则会累计空穴，我们称此层为“反转层”。MOS型场效应管就是利用这个层，作为一个切换开关。这是因为改变外加电压，就可使此电路产生切换的转换（开关）功用。