力晶于八十三年十二月创立于新竹科学园区，业务范围涵盖动记忆体制造及晶圆代工两大类别。八十七年以科技类股票在台湾正式挂牌上柜。八十八年发行全球存托凭证，成为我国第一家在卢森堡证券交易所上市的上柜公司。截至九十六年底，力晶拥有六千一百位员工，资本额达新台币七百八十二亿元，年度营收为新台币七百七十五亿元。

中文名

力晶半导体股份有限公司

外文名

Powerchip Semiconductor Corp.

机构性质

股份有限公司

企业简称

力晶

英文名称

Powerchip Semiconductor Corp.

公司名称

台湾力晶半导体股份有限公司

经营范围

半导体芯片

成立日期

1994-12

发展历程

力晶半导体晶圆厂

为提升在国际市场的竞争力及达到量产的经济规模，公司设立之初，力晶即与日本三菱电机建立技术、生产与销售的策略联盟关系。目前与日本的DRAM大厂Elpida缔结策略联盟，双方携手合作共同研发最尖端DRAM技术。代工方面，力晶亦为三菱与日立LSI部门合并後的新公司瑞萨科技(RenesasTechnologyCorp.)的主要代工夥伴，迈向系统晶片(SystemLSI)产品领域。历史沿革

1994年12月力晶半导体股份有限公司成立。

1995年03月八吋晶圆厂(8A厂)动土典礼。

1996年04月8A厂正式启用。

10月8A厂开始量产0.40微米16MbDRAM/SDRAM。

1997年12月获颁ISO9002国际品保系统验证证书。

1998年02月8A厂量产0.30微米64MbDRAM/SDRAM。

03月公司股票正式以科技类股於柜买中心挂牌上柜。

07月切入代工服务领域有成，第一家美国代工客户产品试产成功。

12月获颁ISO14001国际环境管理系统验证证书。

1999年06月与世界先进及三菱电机签订策略联盟合作备忘录，共组联盟关系。

11月发行第一次海外存托凭证，总金额达美金288,900,000元。

2000年07月举行第一座十二吋晶圆厂(P1厂)动土典礼。

2001年05月发行第一次公司债(含海外公司债)，总额达美金200,000,000元。

09月荣获经济部工业局所举办的第十二届「品质优良案例奖」。

2002年10月通过OHSAS18001职业安全卫生评估系列验证。

11月第一座十二吋晶圆厂(FabP1)正式量产。

2003年01月谢再居博士接任总经理肩负营运重责。

08月力晶与日本Elpida公司正式签订0.10、0.09微米技术转移合约。

10月第二座十二吋晶圆厂(P2厂)动土典礼。

2004年04月力晶十二吋晶圆厂代工业务正式投片。

09月力晶员工诊所开幕。

2005年01月获颁ISO/TS16949证书。

03月P2厂正式启用。

05月力晶开始以十二吋晶圆厂生产高容量快闪记忆体。

2006年01月与旺宏达成协议购入晶圆厂房，并命名为12M厂。

02月与瑞萨(Renesas)达成AG-AND快闪记忆体技术授权协议。

12月与尔必达签订合作备忘录，将设合资公司以新台币4,500亿元於台湾中部建置全球最大12吋晶圆DRAM厂区；双方并决定共同开发50奈米DRAM制程技术。

2007年06月力晶研发测试中心动土典礼。

10月与尔必达合资之瑞晶电子公司第一座十二吋晶圆厂(R1厂)启用。

2008年04月8A厂独立为钜晶电子公司。

4月与日商瑞萨、SHARP合资设立RenesasSP公司，共同拓展LCD驱动晶片市场。

4月第四/五座十二英寸晶圆厂(P4/P5厂)动土。

公司业务

产品与服务

力晶八吋晶圆厂(8A厂)，自八十五年开始运转量产，目前已达四万片的满载月产能规模。八十九年力晶兴建第一座十二吋晶圆厂(12A厂)，满载月产能可达四万五千片，不仅是台湾第一座为制造先进记忆体而量身打造的十二吋晶圆厂，也是全球半导体业界前三座进入量产的十二吋DRAM厂。九十二年十月力晶兴建第二座十二吋晶圆厂（12B厂），预计九十四年第三季进入量产，满载月产能可达四万片规模。[1]

精进技术、服务客户，成为稳定获利的世界级半导体公司，是力晶的愿景。目前，力晶以先进的科技和产能，提供标准型记忆体(DRAM)、消费性记忆体(C-RAM)、通讯用记忆体(M-RAM)、高容量快闪记忆体(Flash)、CMOS影像感测器及多元化代工服务。未来，力晶将强化国际合作策略，引进尖端科技，持续稳健投资，在快速变迁的高科技产业中不断建立竞争优势，成为与客户共创双赢的全方位记忆体供应商。

力晶半导体股份有限公司